MODULO DRAM
Fondata nel 2008, la nostra società del gruppo è presente nell'area della memoria flash OEM da quasi 15 anni, modulo DRAM OEM, SSD OEM, CHIAVETTA USB OEM, SCHEDA TF OEM, come fornitore di memoria flash OEM professionale, ci siamo concentrati nell'offrire servizi ai clienti delle principali marche , principali commercianti e distributori nazionali. Per supportare meglio i commercianti e i distributori nazionali, disponiamo di merci pronte regolari sia a Hong Kong che a ShenZhen, abbiamo venduto più di 1 milione di pezzi ogni mese.
Supportiamo principalmente DDR3, DDR4 per i clienti che svolgono anche attività SSD, per clienti di marca o fabbriche di computer, abbiamo anche LPDDR che ora supportano solo i principali clienti di telefoni cellulari e IPAD della Cina interna e alcuni clienti di smartwatch. Con le sue alte prestazioni e consumi ridotti, va bene per dispositivi intelligenti di piccole dimensioni.
Parametro tecnico Dram/LPDDR:
CATEGORIA DI PRODOTTO | SPECIFICA / | DENSITÀ | PACCHETTO | OPERATIVO |
DRAM | DRAM D3 | 2Gb/4Gb | Palla FBGA 96 | 25 gradi ~ 85 gradi |
DRAM D4 | 4Gb/8Gb | Palla FBGA 96 | ||
Modulo DRAM | U-DIMM | 4GB/8GB/16GB/32GB | / | 0 laurea - 85 laurea |
SO-DIMM | ||||
R-DIMM | 8 GB/16 GB/32 GB | / | 0 laurea - 85 laurea | |
LPDDR | LP DDR4 | 2 GB / 3 GB / 4 GB / 6 GB / 8 GB | 200 Palla | 0 laurea - 70 laurea |
Specifiche:
Modello prodotto n. | Specifica | Densità | Dimensione | Pacchetto |
DRAM U-DIMM | 8GB X8/X16 | 8 GB | 7,5 x 13,3 mm | 78Palla/96Palla |
DRAM U-DIMM | 16 GB X8/X16 | 16 GB | 10,3 x 11 mm | 78Palla/96Palla |
DRAM U-DIMM | 32GB X8/X16 | 32 GB | 10,3 x 11 mm | 78Palla/96Palla |
Modulo disponibile:
Numero parte 1) | Densità | Organizzazione | Composizione dei componenti | Numero di | Altezza |
4GB UDIMM | 4GB | 512Mx64 | 512Mx16 * 4 | 1 | 31,25 mm |
8GB UDIMM | 8 GB | 1Gx64 | 1Gx8 * 8 | 1 | 31,25 mm |
16GB UDIMM | 16 GB | 2Gx64 | 1Gx8 * 16 | 2 | 31,25 mm |
4GB SODIMM | 4GB | 512Mx64 | 512Mx16 * 4 | 1 | 30 mm |
8GB SODIMM | 8 GB | 1Gx64 | 1Gx8 * 8 | 1 | 30 mm |
16GB SODIMM | 16 GB | 2Gx64 | 1Gx8 * 16 | 2 | 30 mm |
NOTA:
1) (2133 Mbps 15-15-15) / (2400 Mbps 17-17-17) / (2666 Mbps 19-19-19) / (3200 Mbps 22-22-22) / (3200 Mbps 16-18-18) - DDR{ {12}}(3200 Mbps 16-18-18) è retrocompatibile con una frequenza inferiore.
CARATTERISTICHE PRINCIPALI
Velocità | DDR4-2133 | DDR4-2400 | DDR4-2666 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | Unità |
15-15-15 | 17-17-17 | 19-19-19 | 22-22-22 | 19-19-19 | 16-18-18 | ||
tCK(min) | 0.938 | 0.833 | 0.75 | 0.625 | 0.625 | 0.625 | ns |
Latenza CAS | 15 | 17 | 19 | 22 | 19 | 16 | nCK |
tRCD(min) | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | ns |
tRP(min) | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | ns |
tras(min) | 33 | 32 | 32 | 32.5 | 30.0 | 22.5 | ns |
tRC(min) | 47.06 | 46.16 | 46.25 | 46.25 | 41.875 | 33.75 | ns |
●Alimentazione standard JEDEC 1,2 V ± 0,06 V
●VDDQ= 1.2V ± 0.06 V
●1067MHz fCKper 2133 Mb/sec/pin, 1200 MHz fCKper 2400 Mb/sec/pin 1333 MHz fCK per 2666 Mb/sec/pin, 1600 MHz fCK per 3200 Mb/sec/pin
●16 banche (4 gruppi di banche)
●Latenza CAS programmabile: 10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21, 22
●Latenza additiva programmabile (CA pubblicata): orologio 0, CL - 2 o CL - 1
●Latenza di scrittura CAS programmabile (CWL)=11,14 (DDR4-2133), 12,16 (DDR4-2400) e 14,18 (DDR4- 2666) • Lunghezza burst : 8, 4 con tCCD=4 che non consente lettura o scrittura senza interruzioni [al volo usando A12 o MRS]
● Strobo di dati differenziale bidirezionale
● Alla terminazione dello stampo utilizzando il pin ODT
●Periodo di aggiornamento medio 7,8 us a meno di TCASE 85 °C, 3,9 us a 85 °C < TCASE 95 °C
●Reset asincrono
SCHEMA A BLOCCHI FUNZIONI per:
4 GB, 512 M x 64 moduli (popolati come 1 rango di SDRAM x16DDR4)
NOTA :
1) Salvo diversa indicazione, i valori dei resistori sono 150Ω 5 percento.
2) I resistori ZQ sono 2400Ω 1 percento. Per tutti gli altri valori di resistenza fare riferimento allo schema elettrico appropriato.
Modulo da 8 GB, 1 Gx64 (popolato come 1 rango di x 8 SDRAM DDR4)
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