
NUOVO SSD M.2 PCIE NVME 256GB 512GB 1T 2T HG2283 più HYNIX V7
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1.SPECIFICHE DEL PRODOTTO Capacità − 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB − Supporto 32-modalità di indirizzamento bit Interfaccia elettrica/fisica − Interfaccia PCIe − Conforme a NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 lane e retrocompatibile con...
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 più Hynix V7
1. SPECIFICHE DEL PRODOTTO
Capacità
− 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB
− Supporta 32-la modalità di indirizzamento bit
Interfaccia elettrica/fisica
− Interfaccia PCIe
− Conforme a NVMe 1.3
− Base PCIe Express versione 3.1
− PCIe Gen 3 x 4 lane e retrocompatibile con PCIe Gen 2 e Gen 1
− Supporto fino a QD 128 con profondità di coda fino a 64K
− Supportare la gestione dell'alimentazione
Flash NAND supportato
− Supporto fino a 16 Flash Chip Enables (CE) all'interno di un unico progetto
− Supporta fino a 4 pezzi di flash BGA132
− Supporto 8-bit I/O NAND Flash
− Supporta l'interfaccia Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 e ONFI 4.0
Samsung V6 3D NAND
Hynix V7 3D NAND
Schema ECC
− HG2283 PCIe SSD applica LDPC dell'algoritmo ECC.
Supporto delle dimensioni del settore
− 512B
− 4KB
UART/ GPIO
Supporta i comandi SMART e TRIM
Gamma LBA
− Norma IDEMA
Prestazione
Prestazioni di HG2283 più Hynix V7 (1200 Mbps)
|
Capacità |
Struttura Flash (pacchetto BGA) |
CE# |
Tipo flash |
Sequenziale (CDM) |
IOMeter |
||
|
Lettura (MB/s) |
Scrittura (MB/s) |
Lettura (IOPS) |
Scrivi (IOPS) |
||||
|
128GB |
DD x 1 |
2 |
BGA132, Hynix V7 |
1650 |
1100 |
195K |
260K |
|
256GB |
DD x 2 |
4 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
1850 |
360K |
450K |
|
512GB |
QDP x 2 |
8 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2090 |
360K |
475K |
|
1024GB |
QDP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
|
2048GB |
PRO x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
APPUNTI:
1. Le prestazioni si basano su flash NAND TLC Hynix V7.
CONSUMO DI ENERGIA
|
Capacità |
Configurazione Flash (pacchetto BGA) |
|
Consumo di energia3 |
|
|
|
Lettura (mW) |
Scrivi (mW) |
PS3 (mW) |
PS4 (mW) |
||
|
128GB |
DD x 1 |
2940 |
2530 |
50 |
5 |
|
256GB |
DD x 2 |
4120 |
3400 |
50 |
5 |
|
512GB |
QDP x 2 |
4090 |
3390 |
50 |
5 |
|
1024GB |
QDP x 4 |
4050 |
3380 |
50 |
5 |
|
2048GB |
PRO x 4 |
4440 |
3810 |
50 |
5 |
APPUNTI:
1. Dati misurati basati su Hynix V7 512Gb mono die TLC Flash.
2. Il consumo energetico viene misurato durante le operazioni sequenziali di lettura e scrittura eseguite da IOMeter.
Gestione Flash
1.4.1. Codice di correzione degli errori (ECC)
Le celle di memoria flash si deteriorano con l'uso, il che potrebbe generare errori di bit casuali nei dati memorizzati. Pertanto, l'SSD PCIe HG2283 applica l'algoritmo LDPC (Low Density Parity Check) dell'ECC, che può rilevare e correggere gli errori che si verificano durante il processo di lettura, garantire che i dati siano stati letti correttamente e proteggere i dati dalla corruzione.
1.4.2. Indossare il livellamento
I dispositivi flash NAND possono essere sottoposti solo a un numero limitato di cicli di programmazione/cancellazione, quando i supporti flash non vengono utilizzati in modo uniforme, alcuni blocchi vengono aggiornati più frequentemente di altri e la durata del dispositivo si ridurrebbe in modo significativo. Pertanto, il livellamento dell'usura viene applicato per estendere la durata della memoria flash NAND distribuendo uniformemente i cicli di scrittura e cancellazione sui supporti.
HosinGlobal fornisce un algoritmo avanzato di livellamento dell'usura, che può distribuire in modo efficiente l'utilizzo del flash nell'intera area dei supporti flash. Inoltre, implementando algoritmi di livellamento dell'usura sia dinamici che statici, l'aspettativa di vita del flash NAND è notevolmente migliorata.
1.4.3. Gestione dei blocchi difettosi
I blocchi danneggiati sono blocchi che non funzionano correttamente o contengono più bit non validi che rendono instabili i dati memorizzati e la loro affidabilità non è garantita. I blocchi identificati e contrassegnati come non validi dal produttore sono indicati come "Early Bad Blocks". I blocchi difettosi sviluppati durante la durata della memoria flash sono denominati "Later Bad Blocks". HosinGlobal implementa un efficiente algoritmo di gestione dei blocchi danneggiati per rilevare i blocchi danneggiati prodotti in fabbrica e gestisce i blocchi danneggiati che compaiono con l'uso. Questa pratica impedisce che i dati vengano archiviati in blocchi danneggiati e migliora ulteriormente l'affidabilità dei dati.
1.4.4. ORDINARE
TRIM è una funzione che aiuta a migliorare le prestazioni di lettura/scrittura e la velocità delle unità a stato solido (SSD). A differenza dei dischi rigidi (HDD), gli SSD non sono in grado di sovrascrivere i dati esistenti, quindi lo spazio disponibile si riduce gradualmente a ogni utilizzo. Con il comando TRIM, il sistema operativo può informare l'SSD in modo che i blocchi di dati non più utilizzati possano essere rimossi in modo permanente. Pertanto, l'SSD eseguirà l'azione di cancellazione, che impedisce ai dati inutilizzati di occupare i blocchi in ogni momento.
1.4.5. ACCORTO
SMART, acronimo di Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, è uno standard aperto che consente a un'unità a stato solido di rilevare automaticamente la propria integrità e segnalare potenziali guasti. Quando un guasto viene registrato da SMART, gli utenti possono scegliere di sostituire l'unità per evitare interruzioni impreviste o perdite di dati. Inoltre, SMART può informare gli utenti di guasti imminenti mentre c'è ancora tempo per eseguire azioni proattive, come il salvataggio dei dati su un altro dispositivo.
1.4.6. Over-fornitura
Over Provisioning si riferisce alla conservazione di un'area aggiuntiva oltre la capacità dell'utente in un SSD, che non è visibile agli utenti e non può essere utilizzata da loro. Tuttavia, consente a un controller SSD di utilizzare spazio aggiuntivo per prestazioni e WAF migliori. Con Over Provisioning, le prestazioni e gli IOPS (operazioni di input/output al secondo) vengono migliorati fornendo al controller spazio aggiuntivo per gestire i cicli P/E, il che migliora anche l'affidabilità e la resistenza. Inoltre, l'amplificazione in scrittura dell'SSD diminuisce quando il
il controller scrive i dati sulla flash.
1.4.7. Aggiornamento del firmware
Il firmware può essere considerato come un insieme di istruzioni su come il dispositivo comunica con l'host. Il firmware sarà aggiornabile quando vengono aggiunte nuove funzionalità, i problemi di compatibilità vengono risolti o le prestazioni di lettura/scrittura vengono migliorate.
1.4.8. Limitazione termica
Lo scopo della limitazione termica è impedire il surriscaldamento dei componenti di un SSD durante le operazioni di lettura e scrittura. HG2283 è progettato con un sensore termico on-die e con la sua precisione; il firmware può applicare diversi livelli di limitazione per raggiungere lo scopo della protezione in modo efficiente e proattivo tramite la lettura SMART.
1.5. Funzioni avanzate di sicurezza del dispositivo
1.5.1. Cancellazione sicura
Secure Erase è un comando di formato NVMe standard e scriverà tutte le "0x00" per cancellare completamente tutti i dati su dischi rigidi e SSD. Quando viene emesso questo comando, il controller SSD cancellerà i suoi blocchi di archiviazione e tornerà alle impostazioni predefinite di fabbrica.
1.5.2. Cancellazione crittografica
Crypto Erase è una funzione che cancella tutti i dati di un'unità SSD attivata da OPAL o di un'unità "SED" (Security-Enabled Disk) reimpostando la chiave crittografica del disco. Poiché la chiave viene modificata, i dati precedentemente crittografati diventeranno inutili, raggiungendo lo scopo della sicurezza dei dati.
1.5.3. Presenza fisica SID (PSID)
Physical Presence SID (PSID) è definito da TCG OPAL come una stringa di 32-caratteri e lo scopo è riportare l'SSD alle impostazioni di produzione quando l'unità è ancora attivata da OPAL. Il codice PSID può essere stampato su un'etichetta SSD quando un SSD attivato da OPAL supporta la funzione di ripristino PSID.
1.6. Gestione della vita dell'SSD
1.6.1. Terabyte scritti (TBW)
TBW (Terabyte scritti) è una misura della durata prevista degli SSD, che rappresenta la quantità di dati
scritto sul dispositivo. Per calcolare il TBW di un SSD, viene applicata la seguente equazione:
TBW = [(Resistenza NAND) x (Capacità SSD)] / [WAF]
Resistenza NAND: la resistenza NAND si riferisce al ciclo P/E (programma/cancellazione) di un flash NAND.
Capacità SSD: La capacità SSD è la capacità specifica totale di un SSD.
WAF: Write Amplification Factor (WAF) è un valore numerico che rappresenta il rapporto tra la quantità di dati che un controller SSD deve scrivere e la quantità di dati che scrive il controller flash dell'host. Un WAF migliore, che è vicino a 1, garantisce una migliore resistenza e una frequenza inferiore dei dati scritti nella memoria flash.
TBW in questo documento si basa sul carico di lavoro JEDEC 218/219.
1.6.2. Indicatore di usura dei supporti
L'indicatore di durata effettiva riportato dall'indice di byte dell'attributo SMART [5], Percentuale utilizzata, consiglia all'utente di sostituire l'unità quando raggiunge il 100%.
1.6.3. Modalità di sola lettura (fine del ciclo di vita)
Quando l'unità è invecchiata da cicli di programma/cancellazione accumulati, l'usura dei supporti può causare un numero crescente di successivi blocchi danneggiati. Quando il numero di blocchi validi utilizzabili non rientra in un intervallo utilizzabile definito, l'unità avviserà l'host tramite l'evento AER e l'avviso critico di entrare in modalità di sola lettura per evitare un ulteriore danneggiamento dei dati. L'utente dovrebbe iniziare a sostituire immediatamente l'unità con un'altra.
1.7. Approccio adattivo all'ottimizzazione delle prestazioni
1.7.1. Portata
In base allo spazio disponibile sul disco, HG2283 regolerà la velocità di lettura/scrittura e gestirà le prestazioni del throughput. Quando rimane ancora molto spazio, il firmware eseguirà continuamente azioni di lettura/scrittura. Non è ancora necessario implementare la Garbage Collection per allocare e rilasciare memoria, che accelererà l'elaborazione di lettura/scrittura per migliorare le prestazioni. Al contrario, quando lo spazio sta per essere esaurito, HG2283 rallenterà l'elaborazione di lettura/scrittura e implementerà la raccolta dei rifiuti per liberare memoria. Pertanto, le prestazioni di lettura/scrittura diventeranno più lente.
1.7.2. Prevedi e recupera
Normalmente, quando l'host tenta di leggere i dati dall'SSD PCIe, l'SSD PCIe eseguirà solo un'azione di lettura dopo aver ricevuto un comando. Tuttavia, HG2283 applica Predict & Fetch per migliorare la velocità di lettura. Quando l'host invia comandi di lettura sequenziali all'SSD PCIe, l'SSD PCIe si aspetterà automaticamente che anche i seguenti siano comandi di lettura. Pertanto, prima di ricevere il comando successivo, flash ha già preparato i dati. Di conseguenza, questo accelera il tempo di elaborazione dei dati e l'host non deve attendere così tanto per ricevere i dati.
1.7.3. Cache SLC
Il design del firmware di HG2283 adotta attualmente la memorizzazione nella cache dinamica per offrire prestazioni migliori per una migliore resistenza e un'esperienza utente migliore.
3.1. Condizioni ambientali 3.1.1. Temperatura e umidità
Tabella 3-1 Alta temperatura
|
|
Temperatura |
Umidità |
|
Operazione |
70 gradi |
0 percento di umidità relativa |
|
Magazzinaggio |
85 gradi |
0 percento di umidità relativa |
Tabella 3-2 Bassa temperatura
|
|
Temperatura |
Umidità |
|
Operazione |
0 grado |
0 percento di umidità relativa |
|
Magazzinaggio |
-40 grado |
0 percento di umidità relativa |
Tabella 3-3 alta umidità
|
|
Temperatura |
Umidità |
|
Operazione |
40 gradi |
90 percento di umidità relativa |
|
Magazzinaggio |
40 gradi |
93 percento di umidità relativa |
Tabella 3-4 cicli di temperatura
|
|
Temperatura |
|
Operazione |
0 grado |
|
70 gradi1 |
|
|
Magazzinaggio |
-40 grado |
|
85 gradi |
Appunti:
1. La temperatura di funzionamento è misurata dalla temperatura della custodia, che può essere decisa tramite SMART Airflow e che consentirà al dispositivo di funzionare alla temperatura appropriata per ciascun componente durante l'ambiente con carichi di lavoro pesanti.
3.1.2. Shock
Tavolo 3-5 Shock
|
|
Forza di accelerazione |
|
Non operativo |
1500G |
3.1.3. Vibrazione
Tavolo 3-6 Vibrazione
|
|
cond |
izione |
|
Frequenza/Spostamento |
Frequenza/Accelerazione |
|
|
Non operativo |
20 Hz~80 Hz/1,52 mm |
80Hz~2000Hz/20G |
3.1.4. Gocciolare
Tavolo 3-7 Drop
|
|
|
Altezza di caduta |
|
|
Numero di gocce |
|
Non operativo |
|
80 cm di caduta libera |
|
|
6 faccia di ogni unità |
|
3.1.5. Piegatura |
Tabella 3-8 Flessione |
|
|
||
|
|
|
Forza |
|
|
Azione |
|
Non operativo |
|
Maggiore o uguale a 20N |
|
|
Tieni premuto 1 minuto/5 volte |
|
3.1.6. Coppia |
Tabella 3-9 Coppia |
|
|
||
|
|
|
Forza |
|
|
Azione |
|
Non operativo |
|
0.5N-m o ±2.5 gradi |
|
|
Tieni premuto 1 minuto/5 volte |
|
3.1.7. Scarica elettrostatica (ESD) |
Tabella 3-10 ESD |
|
|
||
|
Specifica |
|
|
più /- 4KV |
|
|
|
EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 e IEC 61000-4-2 |
Le funzioni del dispositivo sono interessate, ma EUT tornerà automaticamente al suo stato normale o operativo. |
||||
4. SPECIFICHE ELETTRICHE
4.1. Tensione di alimentazione
Tabella 4-1 Tensione di alimentazione
|
Parametro |
Valutazione |
|
Tensione di funzionamento |
Min=3.14 V Massimo=3.47 V |
|
Tempo di salita (massimo/minuto) |
10 ms / 0,1 ms |
|
Tempo di caduta (max/min) |
1500 ms/1 ms |
|
min. Tempo libero1 |
1500 ms |
NOTA:
1. Tempo minimo tra l'alimentazione rimossa dall'SSD (Vcc < 100 mV) e l'alimentazione riapplicata all'unità.
4.2. Consumo di energia
Tabella 4-2 Consumo energetico in mW
|
Capacità |
Configurazione Flash |
CE# |
Leggi (massimo) |
Scrivi (massimo) |
Leggere (Media) |
Scrivi (media) |
|
128GB |
DD x 1 |
2 |
3200 |
2930 |
2940 |
2530 |
|
256GB |
DD x 2 |
4 |
4650 |
4560 |
4120 |
3400 |
|
512GB |
QDP x 2 |
8 |
5260 |
4190 |
4090 |
3390 |
|
1024GB |
QDP x 4 |
16 |
5350 |
6070 |
4050 |
3380 |
|
2048GB |
PRO x 4 |
16 |
6320 |
6650 |
4440 |
3810 |
APPUNTI:
Basato sulla serie APF1Mxxx a temperatura ambiente.
Il valore medio del consumo energetico è ottenuto sulla base di un'efficienza di conversione del 100%.
La tensione di alimentazione misurata è 3,3 V.
La temperatura di un dispositivo di archiviazione in PS1 dovrebbe rimanere costante o dovrebbe diminuire leggermente per tutti i carichi di lavoro, quindi la potenza effettiva in PS1 dovrebbe essere inferiore a PS0.
La temperatura di un dispositivo di archiviazione in PS2 dovrebbe diminuire drasticamente per tutti i carichi di lavoro, quindi la potenza effettiva in PS2 dovrebbe essere inferiore a PS1.
5. INTERFACCIA
5.1. Assegnazione pin e descrizioni
La tabella {{0}} definisce l'assegnazione del segnale del connettore NGFF interno per l'utilizzo dell'SSD, descritta nella specifica PCI Express M.2 versione 1.0 di PCI-SIG.
Tabella 5-1 Assegnazione pin e descrizione di HG2283 M.2 2280
|
Pin n. |
Pin PCIe |
Descrizione |
|
1 |
GND |
CONFIG_3=GND |
|
2 |
3.3V |
Sorgente da 3,3 V |
|
3 |
GND |
Terra |
|
4 |
3.3V |
Sorgente da 3,3 V |
|
5 |
PETn3 |
PCIe TX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
6 |
N/C |
Non connesso |
|
7 |
PETp3 |
PCIe TX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
8 |
N/C |
Non connesso |
|
9 |
GND |
Terra |
|
10 |
LED1# |
Drain aperto, segnale basso attivo. Questi segnali vengono utilizzati per consentire alla scheda aggiuntiva di fornire indicatori di stato tramite dispositivi LED che verranno forniti dal sistema. |
|
11 |
PERn3 |
PCIe RX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
12 |
3.3V |
Sorgente da 3,3 V |
|
13 |
PERp3 |
PCIe RX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
14 |
3.3V |
Sorgente da 3,3 V |
|
15 |
GND |
Terra |
|
16 |
3.3V |
Sorgente da 3,3 V |
|
17 |
PETn2 |
PCIe TX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
18 |
3.3V |
Sorgente da 3,3 V |
|
19 |
PETp2 |
PCIe TX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
20 |
N/C |
Non connesso |
|
21 |
GND |
Terra |
|
22 |
N/C |
Non connesso |
|
23 |
PERn2 |
PCIe RX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
24 |
N/C |
Non connesso |
|
25 |
PERp2 |
PCIe RX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
26 |
N/C |
Non connesso |
|
27 |
GND |
Terra |
|
28 |
N/C |
Non connesso |
|
29 |
PETn1 |
PCIe TX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
30 |
N/C |
Non connesso |
|
31 |
PETp1 |
PCIe TX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
32 |
GND |
Terra |
|
33 |
GND |
Terra |
|
34 |
N/C |
Non connesso |
|
35 |
PERn1 |
PCIe RX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
36 |
N/C |
Non connesso |
|
37 |
PERp1 |
PCIe RX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
Pin n. |
Pin PCIe |
Descrizione |
|
38 N/C |
Non connesso |
|
|
39 GND |
Terra |
|
|
40 SMB_CLK (I/O)(0/1,8 V) |
Orologio SMBus; Open Drain con alzata su pedana |
|
|
41 |
PETn0 |
PCIe TX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
42 |
SMB{{0}}DATI (I/O)(0/1.8V) |
Dati SMBus; Open Drain con alzata su pedana. |
|
43 |
PETp0 |
PCIe TX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
44 |
AVVISO#(O) (0/1.8V) |
Notifica di allerta al master; Open Drain con alzata su pedana; Attivo basso. |
|
45 |
GND |
Terra |
|
46 |
N/C |
Non connesso |
|
47 |
PERn0 |
PCIe RX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
48 |
N/C |
Non connesso |
|
49 |
PERp0 |
PCIe RX Segnale differenziale definito dalle specifiche PCI Express M.2 |
|
50 |
PERST#(I)(0/3.3V) |
PE-Reset è un ripristino funzionale della scheda come definito dalla specifica PCIe Mini CEM. |
|
51 |
GND |
Terra |
|
52 |
CLKREQ#(I/O)(0/3.3V) |
Clock Request è un segnale di richiesta di clock di riferimento come definito dalla specifica PCIe Mini CEM; Utilizzato anche dai sottostati L1 PM. |
|
53 |
REFCLKn |
Segnali PCIe Reference Clock (100 MHz) definiti dalle specifiche PCI Express M.2. |
|
54 |
PEWAKE#(I/O)(0/3.3V) |
Attivazione PCIe PME. Open Drain con pull up su pedana; Attivo Basso. |
|
55 |
REFCLKp |
Segnali PCIe Reference Clock (100 MHz) definiti dalle specifiche PCI Express M.2. |
|
56 |
Riservato ai DATI MFG |
Linea di dati di produzione. Utilizzato solo per la produzione di SSD. Non utilizzato durante il normale funzionamento. I pin devono essere lasciati N/C nel socket della piattaforma. |
|
57 |
GND |
Terra |
|
58 |
Riservato a MFG CLOCK |
Linea di orologi di produzione. Utilizzato solo per la produzione di SSD. Non utilizzato durante il normale funzionamento. I pin devono essere lasciati N/C nel socket della piattaforma. |
|
59 |
Modulo Chiave M |
Chiave del modulo |
|
60 |
Modulo Chiave M |
|
|
61 |
Modulo Chiave M |
|
|
62 |
Modulo Chiave M |
|
|
63 |
Modulo Chiave M |
|
|
64 |
Modulo Chiave M |
|
|
65 |
Modulo Chiave M |
|
|
66 |
Modulo Chiave M |
|
|
67 |
N/C |
Non connesso |
|
68 |
SUSCLK(32KHz) (I)(0/3.3V) |
Ingresso di alimentazione di clock a 32,768 kHz fornito dal chipset della piattaforma per ridurre la potenza e il costo del modulo. |
|
69 |
NC |
CONFIG_1=Nessuna connessione |
|
70 |
3.3V |
Sorgente da 3,3 V |
|
71 |
GND |
Terra |
|
72 |
3.3V |
Sorgente da 3,3 V |
|
73 |
GND |
Terra |
|
74 |
3.3V |
Sorgente da 3,3 V |
|
75 |
GND |
CONFIG_2=Terra |
Fattore di forma: M.2 2280 S2
Dimensioni: 80,00mm (lunghezza) x 22,00mm (larghezza) x 2,15 mm (altezza)
|
Visualizza direzione |
Diagramma |
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Superiore |
![]()
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|
Metter il fondo a |
|
|
Visualizza direzione |
Diagramma |
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Lato |
|
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|
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Figura 7-1 Schema meccanico e dimensioni del prodotto
8. NOTE APPLICATIVE
8.1. Precauzioni per la manipolazione del Wafer Level Chip Scale Packaging (WLCSP).
Ci sono molti componenti assemblati su un singolo dispositivo SSD. Si prega di maneggiare l'unità con cura, specialmente quando ha componenti WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging) come PMIC, sensore termico o interruttore di carico. WLCSP è una delle tecnologie di imballaggio ampiamente adottate per creare ingombri ridotti, ma eventuali urti o graffi possono danneggiare quelle parti ultrapiccole, pertanto si consiglia vivamente una manipolazione delicata.
NON FAR CADERE SSD
INSTALLA SSD CON CURA
TORE SSD IN UN PACCHETTO APPROPRIATO
8.2. M Key M.2 Precauzioni per l'assemblaggio dell'unità SSD
M Key M.2 SSD (Figura 1) è compatibile solo con il socket M Key (Figura 2). Come mostrato nel caso d'uso 2, l'uso improprio può causare gravi danni all'SSD, incluso il burn-out.
Figura 8-1 Tasto M M.2 Precauzioni per il montaggio

Etichetta sexy: NUOVO SSD M.2 PCIE NVME 256GB 512GB 1T 2T HG2283 più HYNIX V7, Cina NUOVO SSD M.2 PCIE NVME 256GB 512GB 1T 2T HG2283 più HYNIX V7, Adattatore della scheda CF per scheda SD, scheda CF all'adattatore USB, Adattatore di memory stick, Adattatore Duo Memory Stick a SD, Duo Memory Stick per adattatore SD, Adattatore microSD Memory Stick
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